усе прадукты

1500V N-CH Высокі плоскі MOSFET PTH03N150

1500V N-CH Высокі плоскі MOSFET Power Mosfet - PTH03N150 Агульныя рысы  ROHS, які адпавядае  R DS (ON), тып. = 5,4 Ом@V GS = 10V  Нізкі зарад за вароты мінімізуе страту пераключэння  Дыёд хуткага аднаўлення Прыкладанне  Адаптар  Зарадная...

3-фазны модуль драйвера рухавіка SAM212M10BF1 1200V 10A

1200V 10A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM - SAM212M10BF1 Апісанне SAM212M10BF1-гэта 3-фазны бессаромны рухавік, у якім выходныя транзістары, схема папярэдняга прывада, загружаныя дыёды з рэзістарамі, якія абмяжоўваюць ток, і...

3-фазны модуль IPM 600V 20A SIM2-202B

600V 20A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM- SIM2-202B Апісанне SIM2-202B-гэта 3-фазны рухавік з высокім напружаннем, у якім транзістары, ланцугі папярэдняга прывада і загрузныя дыёды з рэзістарамі, якія абмяжоўваюць ток, вельмі...

SIM6897M 600V Інтэлектуальны модуль харчавання для рухальных прывадаў

600V 10A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM - SIM6897M Апісанне SIM6897M-гэта 3-фазныя рухавікі з высокім напружаннем, у якіх транзістары, схемы папярэдняга прывада і схемы загрузкі (дыёды і рэзістары) вельмі інтэграваны. Гэтыя...

3-фазныя рухавікі з высокім напружаннем 600 У. SCM1272MF

600V 15A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM - SCM1272MF Апісанне SCM1272MF-гэта 3-фазныя рухавікі з высокім напружаннем, у якіх транзістары, схемы папярэдняга прывада і схемы загрузкі (дыёды і рэзістары) вельмі інтэграваны. Гэтыя...

3-фазны рухавік рухавіка 650V 50A SAM265M50BS3

650V 50A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM - SAM265M50BS3 Апісанне SAM265M50BS3-гэта 3-фазны бессаромны рухавік рухавіка, у якім выходныя транзістары, схема папярэдняга прывада, загрузныя дыёды з рэзістарамі, якія абмяжоўваюць ток,...

3-фазныя рухальныя драйверы 650V 50A SAM265M50AA1

650V 50A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM - SAM265M50AA1 Апісанне SAM265M50AA1-гэта 3-фазныя бессаромныя рухальныя драйверы, у якіх выходныя транзістары, схема папярэдняга прывада , загрузныя дыёды з рэзістарамі, якія абмяжоўваюць...

600V 50A Інтэлектуальны модуль харчавання BIPN60050C

600V 50A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM - BIPN60050CАгульнае апісанне BIPN60050C - гэта ўдасканалены інтэлектуальны модуль харчавання (IPM), які нядаўна распрацаваны і распрацаваны. Гэты прадукт мае кампактны памер пакета і...

Эфектыўны 600V 30A IPM BIP60030G-A для хатняй тэхнікі

600V 30A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM- BIP60030G-A Агульнае апісанне BIP60030G-A-гэта ўдасканалены інтэлектуальны модуль харчавання, які нядаўна распрацаваны і распрацаваны, каб забяспечыць вельмі кампактныя і высокія...

IPM 600V 20A BIPN60020C для пераўтваральніка частоты

600V 20A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM - BIPN60020C Агульнае апісанне BIPN60020C - гэта ўдасканалены інтэлектуальны модуль харчавання (IPM), які нядаўна распрацаваны і распрацаваны. Гэты прадукт мае кампактны памер пакета і...

BIPN60015C 600V 15A IPM для кантролю сервопривода

600V 15A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM - BIPN60015C Агульнае апісанне BIPN60015C - гэта ўдасканалены інтэлектуальны модуль харчавання (IPM), які нядаўна распрацаваны і распрацаваны. Гэты прадукт мае кампактны памер пакета і...

600V 20A Інтэлектуальны модуль харчавання BIP60020G-B

600V 20A Інтэлектуальныя модулі харчавання (IPM) Модуль IPM- BIP60020G-B Агульнае апісанне BIP60020G-B-гэта ўдасканалены інтэлектуальны модуль харчавання, які нядаўна распрацаваны і распрацаваны, каб забяспечыць вельмі кампактныя і высокія...

Высокае напружанне N-канала магутнасці MOSFET LSD55R140GF

N-канал mosfet 550V 23A Power MOSFET, пакет да 220F Профіль прадукту Інжыраваны з перадавой тэхналогіяй Super Junction, Lonfet ™ Power Mosfets дасягае прадукцыйнасці прарыву. Характарыстыка звыклага рэзістэнтнасці дазваляе крытычныя перавагі ў...

600V 30A NCE30TD60B IGBT Single Tube

Паўправадніковыя дыскрэтныя прылады - IGBT Single Tube Агульнае апісанне Выкарыстоўваючы ўласную архітэктуру траншэі NCE і прасунутую тэхналогію поля другога пакалення (FS II), 600 В траншэі IGBT FS II забяспечвае выключную праводнасць і...

Высокае напружанне N-канала MOSFET LSB65R180GT

Высокае напружанне N-канала MOSFET 650V 20A Power MOSFET - LSB65R180GT Апісанне Выкарыстоўваючы перадавыя тэхналогіі Super Junction, Lonfet ™ Power Mosfets забяспечвае выключна нізкую ўстойлівасць. Гэтая характарыстыка пазіцыянуе іх як ідэальныя...

650V 20A IGBT транзістар DXG20N65PS

Паўправадніковыя дыскрэтныя прылады - IGBT транзістары Ключавыя тэхнічныя характарыстыкі  Рэйтынг 650V/20A з тыповым VCE (SAT) 1,70V пры току 20А  Выкарыстоўвае пашыраную тэхналогію IGBT -поля IGBT  Падтрымлівае час вытрымання кароткага замыкання...

DXG60N65HSE 650V IGBT транзістараў

Паўправадніковыя дыскрэтныя прылады - IGBT транзістары Рысы  Ацэнка для 650 В/60А з тыповым паніжэннем напружання ў стане 2,3В пры 60А нагрузкі.  Уключае ў сябе дызайн IGBT для выдатнай прадукцыйнасці.  Забяспечвае 10-мікросекундную кароткае...

DXG60N65HSEU 650V 60A IGBT Single Tube

Паўправадніковыя дыскрэтныя прылады - IGBT Single Tube Рысы  650V/60A з тыповым напружаннем насычэння (VCE (SAT)) 2,3V пры 60А  Пабудаваны на полі -спыненні архітэктуры IGBT для павышэння прадукцыйнасці  Здольныя вытрымліваць умовы кароткага...

550V 23A N-канал магутнасці MOSFET LSB55R140GF

550V N-канал MOSFET Power MOSFET LSB55R140GF для прамысловага кантролю Апісанне MosFets Lonfet ™ Power выкарыстоўвае перадавую тэхналогію Super Junction для дасягнення надзвычай нізкай рэзістэнтнасці. Гэты дызайн аптымізуе іх для прыкладанняў, якія...