Qinwei Высокая прадукцыйнасць 600V хуткае аднаўленне Diode Mur3060PT

мінімум заказ:1

Атрыбуты прадукту
Ўпакоўка і дастаўка
Other information

Атрыбуты прадукту

мадэль №: MUR3060PT(QINWEI)

марка: Qinwei

Тып харчавання: Арыгінальны вытворца, ODM, Агенцтва, Рознічны гандляр, іншыя

Даведачныя матэрыялы: табліца дадзеных, Фота

VRRM: 600V

IF(AV): 30A

VF(IF=15A,TC=25℃)Max: 1.65V

IFSM: 150A

Trr(IF=0.5A,IR=1.0A,irr＝0.25A)Typ: 45ns

Tj: 150℃

Package: TO-247

Ўпакоўка і дастаўка

Паўправадніковыя дыскрэтныя прылады

30A 600V хуткае аднаўленне дыёда - MUR3060PT

Рысы

* Ніжні зваротны ток уцечкі

* Нізкае спажыванне электраэнергіі, высокая эфектыўнасць

* Высокая надзейнасць

* Прадукт, які адпавядае ROHS

Прыкладанне

* Сілавыя матэрыялы пераключальніка

* Пераўтваральнікі пераўтваральнікаў/частот

* Аўтамабільная электроніка

* Іншыя электронныя схемы

Пакет і накіды

Да 247 г.

Максімальны рэйтынг （ TC = 25 ℃）

Parameter	Symbol	Value	Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage	VRRM VRWM VR	600	V
Average Rectified Forward Current (Rated VR, TC = 125°C) Per Diode Per Device	IF(AV)	15 30	A
Surge non repetitive forward current (tp = 8.3 ms sinusoidal)	IFSM	150	A
Storage Temperature Range	Tstg	-55~+150	℃
Operating Junction Temperature	TJ	150	℃

Электрычныя характарыстыкі

Parameter	Symbol	Value(max)	Unit
Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @ IF = 15A, TC = 25°C @ IF = 15A, TC = 125°C	VF	1.65 1.50	V
Instantaneous Reverse Current (Note 1) @ Rated DC Voltage, TC = 25°C @ Rated DC Voltage, TC = 125°C	IR	3 200	uA
Maximum Reverse Recovery Time IF=0.5A, IR= 1.0A,irr＝0.25A	TRR	45	ns

Дыёд хуткага аднаўлення (FRD)-гэта тып паўправадніковага дыёда, спецыяльна распрацаванага для хуткасных прыкладанняў, якія належаць да катэгорыі электронных кампанентаў. Яго асноўная характарыстыка - гэта надзвычай кароткі час аднаўлення аднаўлення, як правіла, у дыяпазоне нанасекунд да мікрасекунд. Пры пераходзе ад зрушэння наперад да зваротнага зрушэння ён хутка адключае паток току, тым самым значна зніжаючы страты пераключэння і электрамагнітныя перашкоды (EMI). Гэтая характарыстыка робіць яго прыдатным для высокачашчынных схем, такіх як блок харчавання, які змяшчаецца, крыніцы зваркі , інвертары і рухальныя прывады.