Please Leave Us A Message
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
З бесперапынным павышэннем патрабаванняў да эфектыўнасці энергасістэмы і шчыльнасці магутнасці ў такіх прылажэннях, як новая энергетыка, крыніцы сілкавання з хуткай зарадкай, серверныя блокі сілкавання, фотаэлектрычныя інвертары і прамысловыя прывады рухавікоў, прылады харчавання з карбіду крэмнію (SiC) становяцца ў цэнтры ўвагі прамысловасці дзякуючы сваім выдатным уласцівасцям матэрыялу. Нядаўна кампанія Longten Semiconductor афіцыйна выпусціла пяць новых SiC MOSFET на 650 В з намінальным...
Увядзенне прадукту Характарыстыка прадукту Асноўныя тэхналогіі ◆ Перавагі чыпа: абсталяваны IGBT 7-га пакалення з мікраканаўкамі GEN.7 ◆ Пашырэнне наладжвання: падтрымлівае індывідуальныя патрабаванні кліентаў для некалькіх дыяпазонаў магутнасці ◆ Беражлівая вытворчасць: сістэмы MES і ERP забяспечваюць прасочванне інфармацыі аб вытворчасці ў модулі. Вобласць прымянення Сістэма захоўвання энергіі Фотаэлектрычны інвертар Іншыя трохузроўневыя...
Кампанія STMicroelectronics выпусціла два высакавольтныя пераўтваральнікі VIPerGaN магутнасцю 100 Вт, пашыраючы тэхналогію энергазберажэння з шырокай паласой паласы на бытавую тэхніку, аўтаматызацыю будынкаў і дома, разумнае асвятленне, а таксама спажывецкія тавары, такія як тэлевізары і зарадныя прылады. Два нядаўна выпушчаныя пераўтваральнікі магутнасці: VIPerGaN100W з лімітавым токам уцечкі 3,5 А і VIPerGaN100WB з 4,2 А. Апошні можа кароткачасова вытрымліваць пік магутнасці ў 125 Вт. Гэты...
Рэкамендацыя новага прадукту Maplesemi: серыя MOSFET на 750 В SiC
Нядаўна Maplesemi Semiconductor выпусціла серыю прадуктаў SiC MOSFET на 750 В. Дзякуючы інавацыйнаму дызайну структуры прылады, ён дасягнуў тэхналагічнага прарыву ў адключэнні пры нулявым напружанні, эфектыўна вырашыўшы залежнасць традыцыйнага SiC MOSFET ад адключэння адмоўнага напружання і забяспечваючы больш простае і надзейнае рашэнне для сістэм харчавання з высокай шчыльнасцю. Асноўныя моманты прадукту — Запас намінальнага напружання вышэй за 800 В, з больш высокай лавіннай здольнасцю і...
NCE - NSIC SiC IPM: на аснове карбіду крэмнію, новая будучыня мадэрнізацыі магутнасці
У такіх сцэнарыях прымянення, як новае пераўтварэнне частаты энергіі, прамысловае кіраванне, фотаэлектрычнае назапашванне энергіі, пераўтварэнне частоты дробных бытавых прыбораў і сервапрывад, павышэнне энергаэфектыўнасці, мініяцюрызацыя і высокая надзейнасць сталі важнымі патрэбамі ў прамысловасці. Па меры прасоўвання глабальнай стратэгіі вугляроднай нейтральнасці краіны ўзмацняюць стандарты энергаэфектыўнасці для электрычнага абсталявання. Патрабаванні канчатковых кліентаў да прадукцыйнасці...
Першы высакавольтны MOSFET ад Longten Semiconductor, заснаваны на новай платформе G3 Super Junction 650V -LSD65R150G3 - быў афіцыйна выпушчаны на рынак. Гэта прылада выкарыстоўвае цалкам ізаляваны пакет TO-220F, які мае меншае супраціўленне ўключэння, лепшы зарад засаўкі і больш высокую хуткасць пераключэння, забяспечваючы новае пакаленне асноўных рашэнняў для харчавання для такіх прыкладанняў, як святлодыёдныя блокі харчавання, высокаэфектыўныя адаптары, магутныя блокі харчавання і прамысловыя...
Нядаўна кампанія Longten выпусціла 600 В, 80 А, 37 мОм N-канальны суперпераходны сілавы MOSFET. Абапіраючыся на падвойную падтрымку перадавой тэхналогіі суперпераходу і інавацыйнага працэсу пашырэння плаціны, прадукт з яго асноўнымі перавагамі, такімі як звышнізкія страты, выдатныя характарыстыкі дыёдаў, высокая надзейнасць прамысловага класа і моцная адаптыўнасць да сцэны, прадстаўляе цалкам новае мадэрнізаванае рашэнне для прымянення электраэнергіі з высокай магутнасцю і высокай эфектыўнасцю....
Адзіны модуль SiC на 1500 В, які спрыяе эфектыўнай рэалізацыі хуткай зарадкі 2.0 мегаватнага ўзроўню
Павольная зарадка, трывога з-за радыусу дзеяння акумулятара, перагрэў аўтамабіля падчас зарадкі і рызыкі для бяспекі ў сцэнарыях высокага напружання... Усе гэтыя даўнія праблемы, якія мучылі ўладальнікаў электрамабіляў, цяпер вырашаны комплекснымі рашэннямі! У сувязі з тым, што высакавольтная платформа 1000 В стала асноўнай тэндэнцыяй у індустрыі электрамабіляў, тэхналогія Mwahua Flash Charging 2.0 падняла эфектыўнасць зарадкі на новы ўзровень. Вытрымлівальнае напружанне, страты і надзейнасць...
Эвалюцыя чыпаў IoT за 20 гадоў затрымалася на вырашальным этапе Стандарты змяніліся, таму чыпы трэба перапісваць нанова. У ходзе гэтага пераўтварэння GSMA запусціла спецыфікацыю SGP.32 для сцэнарыяў IoT у 2023 годзе. У параўнанні са спецыфікацыяй SGP.02, раней распрацаванай для спажывецкіх прылад, найбольш значнае змяненне ў SGP.32 заключаецца ў тым, што яна пазбаўляе ад неабходнасці ручнога ўзаемадзеяння на месцы. Прылады могуць выконваць абнаўленні канфігурацыі і пераключаць сетку ў...
Вызначэнне ST для агульных мікракантролераў (MCU) не ўключае ў сябе MCU бяспекі і MCU аўтамабільнага ўзроўню. Крыніца: Omdia, "Інструмент канкурэнтнага ландшафту штогадовай долі рынку паўправаднікоў за 2001–2025 гг.", сакавік 2026 г. Прыведзеныя вышэй вынікі не з'яўляюцца адабрэннем STMicroelectronics. Трэцяя асоба давярае гэтым вынікам сваю ўласную рызыку. Доля рынку разлічваецца на падставе выручкі (у доларах...
![[Выпуск новага прадукту] CRMICRO выпускае высокапрадукцыйныя прадукты SGT MOS пятага пакалення для забеспячэння эфектыўнай і надзейнай працы BMS](http://bsg-i.nbxc.com/company/7b/174bcf1258e51cac557d545a4e85d7.jpg?x-oss-process=image/resize,w_500/format,jpg)
1. Увядзенне прадукту CRSZ014N08N5Z, запушчаны PIBG, з'яўляецца апошнім дасягненнем тэхналагічнай платформы SGT 5-га пакалення кампаніі. Яго комплексная прадукцыйнасць была значна палепшана. У параўнанні з прадуктам папярэдняга пакалення, CRSZ014N08N5Z зрабіў выдатныя паляпшэнні ў такіх ключавых паказчыках, як SOA і UIS, і можа забяспечыць больш бяспечнае і надзейнае рашэнне для прыкладанняў BMS.2. Перавага прадукту 2.1. Значнае паляпшэнне прадукцыйнасці Параўнанне параметраў вымярэння: у...
Выйшла апошняе выданне "Sanken Technical Report" (Vol. 57)!
«Тэхнічная справаздача SANKEI» - гэта зборнік тэхнічных дакументаў, якія прадстаўляюць найноўшыя тэхналогіі і прадукты, распрацаваныя групай SANKEI для стварэння энергазберагальнага грамадства. Выйшаў апошні нумар (том 57) за лістапад 2025 года. На гэты раз мы пазнаёмім усіх са статусам распрацоўкі IC пераўтваральніка AC/DC "серыя STR5A300". · Рэзюмэ · Серыя STR5A300 - гэта мікрасхема харчавання, прызначаная для неізаляваных прылад харчавання. Ён мае высакавольтны MOSFET на 900 В і...
Кампанія ST Microelectronics абвясціла аб пачатку пастаўкі мікракантролераў агульнага прызначэння STM32, якія вырабляюцца ў Кітаі. Першая партыя пласцін ST Microelectronics STM32, вытворчасць якіх была заключана з кампаніяй Huahong Hongli, была паслядоўна адпраўлена айчынным кліентам. Гэтая вяха азначае значны прагрэс у глабальнай стратэгіі паставак ST Microelectronics. Да 2026 года кампанія плануе наладзіць масавую вытворчасць большай колькасці прадуктаў STM32 (уключаючы высокапрадукцыйныя,...
I. Увядзенне прадукту Прадукт QCS7209BF, запушчаны PIBG, дасягнуў высокіх міжнародных паказчыкаў і прайшоў сертыфікат надзейнасці AEC-Q100 (клас 2). QCS7209BF пасылае ультрагукавыя сігналы праз пераўтваральнік драйвера, узмацняе і пераўтварае атрыманыя рэха-сігналы і выконвае апрацоўку аптымізацыі, такую як кантроль узмацнення па часе (TGC), генерацыя парога (TG), рэгуляванне парога (TA), узмацненне сігналу (SE) і выяўленне рэха (RWD) праз блок апрацоўкі сігналу, дасягаючы такім чынам...
Кампанія NXP Semiconductors абвясціла аб запуску сваёй першай серыйнай серыі прыёмаперадатчыкаў 10BASE-T1S PMD, уключаючы TJA1410 для аўтамабільных прыкладанняў і TJF1410 для прамысловага кіравання і аўтаматызацыі будынкаў. Гэтыя дзве прылады ўяўляюць сабой значную эвалюцыю ў тэхналогіі Ethernet, дазваляючы OEM-вытворцам пашыраць пакрыццё Ethernet да краю сеткі і закладваючы ўніфікаваную і маштабаваную сеткавую аснову для паскарэння пераходу да праграмна-заданых архітэктур. Яны прапануюць...
Jinlan Power Semiconductor запусціла серыю LE2 модуляў PCS для захоўвання энергіі.
Увядзенне прадукту Асноўныя тэхналогіі Вобласць прымянення
Карта інавацый Mitsubishi Electric Power Semiconductor 2025
Прыбор з DIPIPMTM: кампактны дызайн, высокая эфектыўнасць Новыя модулі IGBT для вытворчасці электраэнергіі: павышэнне магутнасці, пашырэнне экалагічных магчымасцей Модулі ВН для цягі і перадачы энергіі: высокае напружанне, вялікая нагрузка, стабільнае суправаджэнне Гэтая серыя сілавых модуляў высокай ёмістасці, прыняўшы запатэнтаваныя дыёдныя і IGBT кампаненты і аб'яднаўшы іх з унікальнай структурай чыпа, можа значна павысіць прадукцыйнасць вільгацеўстойлівасці, эфектыўна палепшыць...
Агляд прадукту Невялікія памеры, высокая надзейнасць, нізкі кошт. Троіца павышае трываласць прадукту Строгая ацэнка і сертыфікацыя для забеспячэння якасці прадукцыі для адгрузкі Прыняцце мадэлі IDM для стварэння бяспечнай і надзейнай сістэмы ланцужкоў паставак Спецыфікацыя прадукту Тыповы сцэнар прымянення - Хуткая зарадка для мабільных тэлефонаў Спіс тавараў У двухнакіраваным падполе OVP 40 В у параўнанні з прадуктамі з той жа спецыфікацыяй у галіны, CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ адрозніваецца...
NCE 250V Ultra-fast Reverse Recovery SGT MOSFET Прадстаўленне прадукту
Асноўныя перавагі Асноўныя характарыстыкі Вобласць прымянення Сувязь Прамысловы блок харчавання Схема інвертар Кіраванне рухавіком 48В - 100В Узмацненне гуку класа D Для розных сцэнарыяў прымянення New Energy Power выпусціла розныя серыі прадуктаў. У мадэлі NCEP025S90T літара «S» паказвае на прыналежнасць дадзенага прадукту да серыі супераднаўлення. Калі літары тут няма, гэта паказвае на агульную серыю...
Аналіз прынцыпу прымянення абароны літыевай батарэі і адпаведнага MOSFET Trench
Аналіз прынцыпу працы абароны літыевай батарэі Параўнанне схем абароны літыевай батарэі Нізкавольтны МАП-транзістар NCE слотавага тыпу падыходзіць для прымянення ў схемах абароны літыевых батарэй.
Сілавыя модулі Jinlan забяспечваюць трансфармацыю энергіі з дапамогай тэхналогіі "Core".
Рэалізацыя палітыкі ў канчатковым рахунку абапіраецца на тэхналагічныя інавацыі і надзейныя прадукты. Кампанія Jinlan Power Semiconductor, выкарыстоўваючы перавагі ўласнай распрацоўкі чыпаў і індывідуальныя магчымасці рэгулявання, запусціла комплексныя рашэнні модуляў харчавання ў трох ключавых накірунках: назапашванне энергіі, фотаэлектрычныя і цвёрдацельныя трансфарматары. У цяперашні час большая частка яго прадукцыі прайшла кліенцкія выпрабаванні і паступіла ў серыйную вытворчасць. ...
Увядзенне прадукту Кампанія Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. выпусціла прадукт, прыдатны для фотаэлектрычных інвертараў струннага тыпу магутнасцю 125 кВт: JL3T400V120SE3G7SS. Ён прымае пакет Jinlan LE3 (сумяшчальны з пакетам Easy 3B). Ён ужо прайшоў выпрабаванні ў кліентаў і зараз знаходзіцца ў стадыі масавых паставак. Ядро тэхналогіі Выдатныя дынамічныя і статычныя параметры, нізкае падзенне напружання, нізкія дынамічныя страты, прыдатныя для высокачашчынных і магутных сцэнарыяў З...
Бізнес-група Power Device Business Group (PDBG) кампаніі China Resources Microelectronics дасягнула яшчэ аднаго значнага прарыву ў сегменце асноўных прывадных модуляў з SiC. Модуль галоўнага прывада SiC MOS чацвёртага пакалення, незалежна распрацаваны PDBG, быў паспяхова прадстаўлены вядучым вытворцам аўтамабіляў і цяпер знаходзіцца ў серыйнай вытворчасці для ўстаноўкі ў аўтамабілі. Гэты модуль заснаваны на чыпе платформы SiC MOS G4 ад PDBG на 1200 В, які мае пакет ValueDual і 6/8-трубную...
Хуткае развіццё індустрыі новых энергетычных транспартных сродкаў абумоўлівае высокі попыт на высокапрадукцыйныя, высокаэфектыўныя і вельмі надзейныя рашэнні для кіравання энергаспажываннем. Бізнес-група Power Device Business Group (далей PDBG), грунтуючыся на сваім глыбокім тэхнічным назапашванні ў галіне паўправаднікоў і абапіраючыся на кампаноўку ўсіх ланцугоў IDM, пастаянна засяроджваецца на галінах прамысловага кіравання і аўтамабільнай электронікі высокага класа, актыўна прасоўваючы...
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.