Nce30th60bpn 600v 30a траншэя FS II хуткая IGBT

мінімум заказ:1

Атрыбуты прадукту
Ўпакоўка і дастаўка
Other information

Атрыбуты прадукту

мадэль №: NCE30TH60BPN

Supply Type: Original Manufacturer, Odm, Agency, Retailer, Other

Reference Materials: Datasheet, Photo

VCES: 600V

IC(TC=25 °C): 60A

IC(TC=100 °C): 30A

ICpuls: 90A

Калі (tc = 100 ° C): 15а

Ifm: 45а

Vce (sat) (v)@vge = 15v, 25 ℃ Typ: 1.7

Vce (sat) (v)@vge = 15v, 25 ℃ Max: 1.9

TJ: -55 to +175°C

Пакет прылад: Да-3pnt

Ўпакоўка і дастаўка



Nce30th60bpn 600v 30a траншэя FS II хуткая IGBT



Паўправадніковыя дыскрэтныя прылады - IGBT Single Tube

Агульнае апісанне:

Інжыраваная з уласнай архітэктурай (TFS) у фірменнай атэстацыі NCE (TFS) і тэхналогіяй поля другога пакалення (FS II), тэрбай 600V FS IGBT-серыі забяспечвае эфектыўнасць вядучай галіны праводнасці, прадукцыйнасць ультра-хуткай пераключэння і спрошчаную паралельную канфігурацыю для прымянення высокай магутнасці.

Асноўныя функцыі

⚫ Прапанова траншэі FSII

⚫ Ультра-нізкая ўстойлівае напружанне (VCE (SAT) TYP. 1.2V)

⚫ Магчымасць пераключэння высокай частоты (FSW да 100 кГц)

⚫ Станоўчы каэфіцыент тэмпературы ў VCE (SAT)

⚫ Шчыльнае размеркаванне параметраў для пашыранага дызайну модуля

⚫ Надзейная прадукцыйнасць лавін з паводзінамі пераключэння тэмпературы

Тыповае прыкладанне

⚫ кандыцыянер

⚫ інвертары

⚫ рухальныя прывады

IGBT адзінкавая трубка (альбо дыскрэтная IGBT)
Сілавая паўправадніковая прылада, якая ўпакоўвае адзін IGBT -чып (часта з дыёдам вольнага колу) у ізаляваным корпусе.

Асноўныя характарыстыкі:

Змяшчае толькі адзін IGBT -блок без унутраных драйвераў;

Патрабуюць знешніх драйвераў засаўкі, радыятараў і ланцугоў абароны;

Стандартызаваныя пакеты (напрыклад, TO-247, TO-220) для гнуткасці дызайну.