Longteng Semiconductor запусціў IGBT 1200V 50A, уключыўшы прыкладанні ў галінах сярэдняга і нізкага напружання, а таксама новыя сектары энергетыкі.

2025,06,14

З хуткім развіццём электраэнергетычных прылад, як дасягнуць меншых страт, большая надзейнасць і больш шырокае пакрыццё прымянення стала ў цэнтры ўвагі галіны. Longteng Semiconductor запусціў новы прадукт ** 1200V 50A Pop Trench IGBT **, спецыяльна распрацаваны для высокачашчынных прыкладанняў. Абапіраючыся на перадавыя платформы працэсаў і сістэматычныя магчымасці дызайну, ён уводзіць эфектыўную магутнасць кіравання ў прамысловы інвертар, ІБП і новыя энергетычныя сцэнарыі.

Пашыраныя тэхналогіі, цудоўная прадукцыйнасць

Гэты IGBT прымае тэхналагічную платформу "Стоп-траншэі" і спалучае аптымізаваную структуру траншэі, эфектыўна зніжаючы страты ў стане і страту пераключэння. Ён таксама валодае хуткаснымі магчымасцямі пераключэння і шырокай бяспечнай аперацыйнай зонай (SOA), што робіць яго асабліва прыдатным для сістэмных прыкладанняў у высокачашчынных рабочых умовах. Гэта прыносіць больш высокую эфектыўнасць сістэмы і надзейнасць працы для кліентаў.

Выдатныя паказчыкі электрычных характарыстык

· Напружанне калекцыянера-выпраменьвання (VCE): 1200V

· Ацэнка току (IC): 50A

· Максімальнае рассейванне магутнасці (PD): 399 Вт пры 25 ° С

· Насычэнне напружання (VCE (SAT)): Тыповае значэнне 1,85 У пры 25 ° С

· Страта адключэння (EOFF): Тыповае значэнне 1,86 мж пры 25 ° С

Комплексныя цеплавыя/электрычныя характарыстыкі крывых

З характарыстык вываду, пераключэнне страт на абмежаванне тэмпературы злучэння, гэта прылада цалкам разгледзела адпаведныя патрабаванні фактычных умоў прымянення кліентаў на этапе праектавання і валодае выдатнай цеплавой стабільнасцю і ўдарамі ўстойлівасці.

Гэты 1200V IGBT асабліва падыходзіць для

1. БЛАСКІ І ПРАЎДАВАННЯ ЦЕНТР БОЛЬШ

2. Зварачныя машыны і індукцыйнае ацяпляльнае абсталяванне

3. Фотаэлектрычныя і інвертары для захоўвання энергіі 4. Электрычны транспартны сродак DC-AC/DC-DC пераўтварэнне