Чакаецца, што вытворчая магутнасць вузлоў на 5 нанаметрах і знізу павялічыцца на 13% у 2024 годзе, у асноўным абумоўлены трэніроўкай цэнтраў апрацоўкі дадзеных, высновай і генератыўным штучным інтэлектам (AI) у перадавым абсталяванні. Для павышэння эфектыўнасці апрацоўкі вытворцаў чыпаў, уключаючы Intel, Samsung і TSMC, рыхтуюцца пачаць вырабляць 2 -ы GAA (вароты вакол) чыпаў, што павялічыць агульны тэмп росту вытворчасці на 17% у 2025 годзе.
Ажыт Маноча, прэзідэнт і генеральны дырэктар Semi, сказаў: "Ад хмарных вылічэнняў да краёвых прылад, рост попыту на вылічальную магутнасць AI выклікае развіццё высокапрадукцыйных чыпаў і спрыяючы моцным пашырэнні глабальных вытворчых магутнасцей паўправаднікоў. Гэта стварае дабрадзейнае цыкл: AI прывядзе да росту паўправаднікаў у розных дадатках, што, у сувязі з тым, што ў сваю чаргу заахвочвае дадатковыя інвестыцыі".
Пашырэнне патэнцыялу па рэгіёне
Чакаецца, што вытворцы кітайскіх чыпаў будуць падтрымліваць двухзначны рост магутнасці. Пасля павелічэння на 15% да 8,85 млн (WPM) у 2024 годзе ён вырасце на 14% да 10,10 млн. (WPM) у 2025 годзе, што складае амаль траціну агульнай магутнасці галіны. Нягледзячы на патэнцыйныя рызыкі, Кітай па -ранейшаму актыўна інвеставае ў пашырэнне патэнцыялу, збольшага для змякчэння ўплыву нядаўняга кантролю над экспартным кантролем. Асноўныя вытворцы, уключаючы Huahong Group, Jinghe Integrated, Xine, SMIC і Changxin Storage, укладваюць вялікія сродкі для павелічэння магутнасці.
Чакаецца, што да 2025 года тэмп росту магутнасці ў большасці іншых рэгіёнаў вытворчасці чыпаў не перавысіць 5%. Прагназуецца, што ў 2025 годзе патэнцыял на Тайвані, Кітай, займае другое месца, тэмп росту ў памеры 4% пры хуткасці 5,8 мільёна (WPM), у той час як Паўднёвая Карэя ў 2025 годзе займае трэцяе месца, перасягнуўшы 5 мільёнаў (WPM) упершыню ў 2024 годзе, з ростам 7% да 5,4 млн. (WPM). Чакаецца, што паўправадніковая магутнасць у Японіі, Амерыцы, Еўропе і Блізкага Усходу, а таксама Паўднёва -Усходняй Азіі павялічыцца да 4,7 мільёна (wpm) (3% да год), 3,2 млн (па абароце) (5% гадоў), 2,7 млн (к.00) (4% год) і 1,8 млн. (Wpm) (4%), адпаведна.
Пашырэнне патэнцыялу па сектары
У значнай ступені, дзякуючы стварэнню ліцейнага бізнесу Intel і пашырэнню вытворчых магутнасцей у Кітаі, чакаецца, што вытворчыя магутнасці ў ліцейным сектары павялічацца на 11% у 2024 годзе, на 10% у 2025 годзе і дасягнуць 12,7 млн (WPM) да 2026 года.
Хуткае прыняцце памяці высокай прапускной здольнасці (HBM) для задавальнення расце попыту на серверы штучнага інтэлекту для больш хуткіх працэсараў выклікае беспрэцэдэнтны рост патэнцыялу ў галіне памяці. Штучны інтэлект выклікае павелічэнне попыту на больш шчыльныя стэкі HBM. Вядучыя вытворцы DRAM павялічваюць свае інвестыцыі ў HBM/DRAM. Чакаецца, што магутнасць DRAM павялічыцца на 9% у 2024 і 2025 гадах. У адрозненне ад аднаўлення рынку 3D NAND застаецца павольным, і магутнасць не павялічыцца ў 2024 годзе, але, як чакаецца, павялічыцца на 5% у 2025 годзе.
Чакаецца, што расце попыт на прыкладанні AI на Edge прыладзе павялічыць памяць DRAM на асноўных смартфонах з 8 ГБ да 12 ГБ, у той час як ноўтбукі з выкарыстаннем AI Assistants запатрабуюць не менш за 16 Гб DRAM. Пашырэнне прылад AI на Edge таксама стымулюе попыт на DRAM.
