NCE SJ MOSFET G4.0 800V і 900V Прадстаўленне прадукту

2025,10,24

MOS суперзлучэння мае вертыкальную структуру. У вобласці дрэйфу вертыкальныя вобласці слупкоў P-тыпу і вобласці слупкоў N-тыпу размешчаны па чарзе, утвараючы адзінку «суперстыку». Дзякуючы тэхналогіі кампенсацыі зарада, ён прарываецца праз прыладу высокага напружання традыцыйнага магутнага паўправадніка, які абмежаваны "лімітам крэмнія". Яго асноўная канструкцыя дасягае балансу нізкага супраціву ўключэння і высокага напружання прабоя за кошт аптымізацыі размеркавання электрычнага поля. Акрамя таго, MOSFET з суперпераходам мае меншае супраціўленне ўключэння і больш аптымізаванае размеркаванне зарада, таму яго хуткасць пераключэння звычайна вышэй, чым у звычайных MOSFET, што дапамагае паменшыць страты пры пераключэнні ў ланцугу. Дзякуючы выдатным характарыстыкам пры высокім напружанні і каэфіцыенту энергаэфектыўнасці MOSFET з суперпераходам больш падыходзіць для сцэнарыяў высокага напружання і высокай магутнасці.

NCE Gen.4, заснаваны на арыгінальнай тэхналогіі суперпераходу MOSFET, яшчэ больш палепшыў сваю прадукцыйнасць за кошт тэхналагічных мадэрнізацый, павелічэння структурнай шчыльнасці прылады, зніжэння характэрнага супраціву ўключэння; павышэнне шчыльнасці магутнасці прылады, што дазваляе значна павялічыць магутнасць току ў тым жа аб'ёме, а таксама паляпшэнне такіх аспектаў, як тэмпературныя характарыстыкі супраціву ўключэння.

Gen.4 Super Junction MOSFET (Super Junction MOSFET IV) нядаўна выпусціў серыю прадуктаў на 800 В і 900 В. Версія 800V ўключае новую серыю з дыёдамі хуткага аднаўлення.

Параўнанне значэнняў множніка Rdson пры высокай тэмпературы для прадуктаў аднолькавай спецыфікацыі: у параўнанні з Gen3, Gen4 знізіўся на 16%; Прадукты Gen4 і International I дасягнулі аднолькавага ўзроўню.