N-канал 650V 11A Power MOSFET LSD65R380GT

мінімум заказ:1

Атрыбуты прадукту
Ўпакоўка і дастаўка
Other information

Атрыбуты прадукту

мадэль №: LSD65R380GT

Supply Type: Agency, Odm, Original Manufacturer, Retailer, Other

Reference Materials: Datasheet

VDSS: 650V

ID: 11A

Rds (on) Max: 0,38 Ом

Пакет прылад: ДА-220F

Навучанне: 920pf

Працоўная тэмпература: -55 да +150 ℃

Ўпакоўка і дастаўка

Апісанне

Lonfet TM Power Mosfet вырабляецца з выкарыстаннем Advanced Super Junction Technology. Атрыманае прылада мае надзвычай нізкі супраціў, што робіць яго асабліва прыдатным для прыкладанняў, якія патрабуюць цудоўнай шчыльнасці магутнасці і выдатнай эфектыўнасці.

Рысы

⚫ Ultra Low RDS (ON)

⚫ Ультра нізкі зарад засаўкі (тып. QG = 21NC)

⚫ 100% выпрабаваны UIS

⚫ Rohs, які адпавядае

Прыкладанне

⚫ Карэкцыя каэфіцыента магутнасці (PFC)

⚫ Пераключаны рэжым харчавання (SMPS)

⚫ Незаяўны блок харчавання (ІБП)

Absolute Maximum Ratings
Parameter		Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	650	V
Continuous drain current 1)	( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	11 7	A A
Pulsed drain current 2)		IDM	33	A
Gate-Source voltage		VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)		EAS	270	mJ
Power Dissipation		PD	30	W
Operating and Storage Temperature Range		TJ , TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current		IS	11	A
Diode pulse current		IS,pulse	33	A

Заўвагі:

1. Абмежаваны максімальнай тэмпературай злучэння і працоўным цыклам, эквівалент да 220.

2. Абмежаваны максімальнай тэмпературай злучэння, максімальны працоўны цыкл складае 0,75.

3. IAS = 3A, L = 60 мГ, VDD = 60V, пачынаючы з tj = 25 ° C.