N-канал 650V 7A Power MOSFET LND7N65D

мінімум заказ:1

Атрыбуты прадукту
Ўпакоўка і дастаўка
Other information

Атрыбуты прадукту

мадэль №: LND7N65D

Supply Type: Agency, Original Manufacturer, Odm, Retailer, Other

Reference Materials: Datasheet

VDSS: 650V

ID: 7A

Rds (on) Max: 1,4 Ом

Навучанне: 1095pf

Пакет прылад: ДА-220F

Працоўная тэмпература: -55 да +150 ° С

Ўпакоўка і дастаўка



N-канал 650V 7A Power MOSFET LND7N65D



Паўправадніковыя дыскрэтныя прылады

650V 7A N-канал магутнасці MOSFET

Lnd7n65d

Рэзюмэ прадукту

VDSS: 650V

ID: 7A

Rds (on), max: 1,4ω

QG, тып: 23.5nc

Апісанне

Power MOSFET вырабляецца з выкарыстаннем перадавой тэхналогіі Planar VDMOS . Атрыманае прылада мае нізкую ўстойлівасць да праводнасці, цудоўную прадукцыйнасць пераключэння і высокую энергію лавіны.

Рысы

 Нізкі R DS (ON)

 Нізкая зарадка (тып. Q G = 23.5NC)

 100% выпрабаваны UIS

 ROHS, які адпавядае

Прыкладанне

 Карэкцыя каэфіцыента магутнасці.

 Пераключаны рэжым харчавання.

 Святлодыёдны кіроўца.

 Неперакоіны блок харчавання ( ІБП )

Absolute Maximum Ratings
Parameter		Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	650	V
Continuous drain current 1)	( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	7 4.4	A A
Pulsed drain current 2)		IDM	28	A
Gate-Source voltage		VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 3)		EAS	361	mJ
Power Dissipation		PD	40	W
Operating and Storage Temperature Range		TJ , TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current		IS	7	A
Diode pulse current		IS,pulse	28	A

Заўвагі:

1. Зліце ток, абмежаваны максімальнай тэмпературай злучэння, эквівалент да 220.

2. Паўтаральны рэйтынг: шырыня імпульсу, абмежаваная максімальнай тэмпературай злучэння.

3. IAS = 8,5A, L = 10 мГ, VDD = 60V, пачынаючы з tj = 25 ° C.