Высокі напружанне N-канала MOSFET LSB65R041GF

мінімум заказ:1

Атрыбуты прадукту
Ўпакоўка і дастаўка
Other information

Атрыбуты прадукту

мадэль №: LSB65R041GF

Supply Type: Original Manufacturer, Odm, Retailer, Other, Agency

Reference Materials: Photo, Datasheet

VDSS: 650V

ID: 78A

Rds (on), макс: 41mω

Пакет прылад: Да 247 г.

Працоўная тэмпература: -55 да +150 ° С

Навучанне: 7647pf

Ўпакоўка і дастаўка

Апісанне

Lonfet TM Power Mosfet вырабляецца з выкарыстаннем Advanced Super Junction Technology. Атрыманае прылада мае надзвычай нізкі супраціў, што робіць яго асабліва прыдатным для прыкладанняў, якія патрабуюць цудоўнай шчыльнасці магутнасці і выдатнай эфектыўнасці.

Рысы

 Ultra Low R DS (ON)

 Ультра нізкая зарадка (тып. Q G = 169NC)

 100% выпрабаваны UIS

 ROHS, які адпавядае

Прыкладанне

 Карэкцыя каэфіцыента магутнасці (PFC).

 Пераключаны рэжым харчавання (SMPS).

 Незаяўны блок харчавання (ІБП).

Absolute Maximum Ratings
Parameter	Symbol	Value	Unit
Drain-Source Voltage	VDSS	650	V
Continuous drain current ( TC = 25°C ) ( TC = 100°C )	ID	78 49.3	A A
Pulsed drain current 1)	IDM	234	A
Gate-Source voltage	VGSS	±30	V
Avalanche energy, single pulse 2)	EAS	1626	mJ
Power Dissipation	PD	658	W
MOSFET dv/dt Ruggedness, VDS ≤480V	dv/dt	80	V/ns
Reverse Diode dv/dt, VDS ≤480V, ISD ≤ID	dv/dt	50	V/ns
Operating and Storage Temperature Range	TJ, TSTG	-55 to +150	°C
Continuous diode forward current	IS	78	A
Diode pulse current	IS,pulse	234	A