250V N-канал MOSFET PTW50N25

мінімум заказ:1

Атрыбуты прадукту
Ўпакоўка і дастаўка
Other information

Атрыбуты прадукту

мадэль №: PTW50N25

Supply Type: Original Manufacturer, Odm, Agency, Retailer, Other

Reference Materials: Photo, Datasheet

VDSS: 250V

ID: 50A

Rds (on), над: 45mω

Навучанне: 3560pf

Працоўная тэмпература: -55 да 150 ℃

Device Package: TO-3P

Ўпакоўка і дастаўка

N-канал mosfet

Power MOSFET 250V 50A PTW50N25

Агульныя рысы

 Новыя ўласныя плоскія тэхналогіі

 R DS (ON), тып. = 45mω@v gs = 10V

 Нізкі зарад за вароты мінімізуе страту пераключэння

 Дыёд хуткага аднаўлення

Прыкладанне

 Пераўтваральнікі харчавання пастаяннага току DC-DC

 Інвертары пастаяннага току для бесперабойнага харчавання (ІБП)

 Сілавыя матэрыялы для пераключэння (SMPS) і рухальныя дыскі

Абсалютны максімум Ацэнкі

Symbol	Parameter	Rating	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[ 1]	250	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	50	A
ID @ Tc =100℃	Continuous Drain Current @ Tc= 100℃	25
IDM	Pulsed Drain Current at VGS= 10V[2]	200
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	1250	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt[3]	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	1.0	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in ( 1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

Заўвага:

[1] t j = +25 ℃ да +150 ℃

[2] паўтаральны рэйтынг; Шырыня імпульсу абмежаваная максімальнай тэмпературай злучэння.

[3] i sd = 20a di/dt <100 a/μs, v dd <bv dss , t j =+150 ℃ .

[4] шырыня імпульсу ≤380 мкоў; Duty Cycle≤2%.

* MOSFET , металічны аксід-паўправадніковы палявы транзістар, класіфікуецца як паўправадніковая прылада, якая кантралюецца напружаннем, у больш шырокай катэгорыі электронных кампанентаў, рэгулюе паток току паміж яго крыніц і злівамі, ужываючы напружанне да тэрмінала засаўкі.