Name: 200В N-канала MOSFET SPTF20R10
Uploaded: 2025-06-11T10:21:14+08:00
Description: 200В N-канала MOSFET Power MOSFET - SPTF20R10 Агульныя рысы  Новая ўласная

200В N-канала MOSFET SPTF20R10

мінімум заказ:1

Атрыбуты прадукту
Ўпакоўка і дастаўка
Other information

Атрыбуты прадукту

мадэль №: SPTF20R10

Supply Type: Odm, Original Manufacturer, Agency, Retailer, Other

Reference Materials: Photo, Datasheet

VDSS: 200V

ID: 110A

RDS(ON),typ: 9.3mΩ

Ciss: 10656pF

Працоўная тэмпература: -55 да 150 ℃

Пакет прылад: Да 247 г.

Ўпакоўка і дастаўка



200В N-канала MOSFET SPTF20R10



200В N-канала MOSFET

Power MOSFET - SPTF20R10

Агульныя рысы

 Новая ўласная тэхналогія траншэі

 R DS (ON), тып. =9.3mω@v gs = 10V

 Нізкі зарад за вароты мінімізуе страту пераключэння

 Дыёд хуткага аднаўлення

Прыкладанне

 Канвертар пастаяннага току/пастаяннага току

 Ідэальна падыходзіць для высокачашчыннага пераключэння і сінхроннай выпраўлення

Абсалютны Максімум Ацэнкі

Symbol	Parameter	Limit	Unit
VDSS	Drain-to-Source Voltage[1]	200	V
VGSS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	110	A
ID	Continuous Drain Current @ Tc=100℃	75
IDM	Pulsed Drain Current at VGS=10V[2]	440
EAS	Single Pulse Avalanche Energy L=10mH	2000	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt	5.0	V/ns
PD	Power Dissipation	278	W
PD	Derating Factor above 25℃	2.22	W/℃
TL TPAK	Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds, Package Body for 10 seconds	300 260	℃
TJ& TSTG	Operating and Storage Temperature Range	-55 to 150	℃

MOSFET (металічна-акісляльнік-паўправадніковы палявы эфект)-гэта паўправадніковая прылада, якая кантралюецца напружаннем, і належыць да катэгорыі электронных кампанентаў, рэгулюе паток току паміж яго крыніц і злівам тэрміналаў, ужываючы напружанне да тэрмінала засаўкі.