Please Leave Us A Message
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
Карта інавацый Mitsubishi Electric Power Semiconductor 2025
Прыбор з DIPIPMTM: кампактны дызайн, высокая эфектыўнасць Новыя модулі IGBT для вытворчасці электраэнергіі: павышэнне магутнасці, пашырэнне экалагічных магчымасцей Модулі ВН для цягі і перадачы энергіі: высокае напружанне, вялікая нагрузка, стабільнае суправаджэнне Гэтая серыя сілавых модуляў высокай ёмістасці, прыняўшы запатэнтаваныя дыёдныя і IGBT кампаненты і аб'яднаўшы іх з унікальнай структурай чыпа, можа значна павысіць прадукцыйнасць вільгацеўстойлівасці, эфектыўна палепшыць...
Агляд прадукту Невялікія памеры, высокая надзейнасць, нізкі кошт. Троіца павышае трываласць прадукту Строгая ацэнка і сертыфікацыя для забеспячэння якасці прадукцыі для адгрузкі Прыняцце мадэлі IDM для стварэння бяспечнай і надзейнай сістэмы ланцужкоў паставак Спецыфікацыя прадукту Тыповы сцэнар прымянення - Хуткая зарадка для мабільных тэлефонаў Спіс тавараў У двухнакіраваным падполе OVP 40 В у параўнанні з прадуктамі з той жа спецыфікацыяй у галіны, CRNCW048B040AZ/CRNCW048B040BZ адрозніваецца...
NCE 250V Ultra-fast Reverse Recovery SGT MOSFET Прадстаўленне прадукту
Асноўныя перавагі Асноўныя характарыстыкі Вобласць прымянення Сувязь Прамысловы блок харчавання Схема інвертар Кіраванне рухавіком 48В - 100В Узмацненне гуку класа D Для розных сцэнарыяў прымянення New Energy Power выпусціла розныя серыі прадуктаў. У мадэлі NCEP025S90T літара «S» паказвае на прыналежнасць дадзенага прадукту да серыі супераднаўлення. Калі літары тут няма, гэта паказвае на агульную серыю...
Аналіз прынцыпу прымянення абароны літыевай батарэі і адпаведнага MOSFET Trench
Аналіз прынцыпу працы абароны літыевай батарэі Параўнанне схем абароны літыевай батарэі Нізкавольтны МАП-транзістар NCE слотавага тыпу падыходзіць для прымянення ў схемах абароны літыевых батарэй.
Сілавыя модулі Jinlan забяспечваюць трансфармацыю энергіі з дапамогай тэхналогіі "Core".
Рэалізацыя палітыкі ў канчатковым рахунку абапіраецца на тэхналагічныя інавацыі і надзейныя прадукты. Кампанія Jinlan Power Semiconductor, выкарыстоўваючы перавагі ўласнай распрацоўкі чыпаў і індывідуальныя магчымасці рэгулявання, запусціла комплексныя рашэнні модуляў харчавання ў трох ключавых накірунках: назапашванне энергіі, фотаэлектрычныя і цвёрдацельныя трансфарматары. У цяперашні час большая частка яго прадукцыі прайшла кліенцкія выпрабаванні і паступіла ў серыйную вытворчасць. ...
Увядзенне прадукту Кампанія Jinlan Power Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. выпусціла прадукт, прыдатны для фотаэлектрычных інвертараў струннага тыпу магутнасцю 125 кВт: JL3T400V120SE3G7SS. Ён прымае пакет Jinlan LE3 (сумяшчальны з пакетам Easy 3B). Ён ужо прайшоў выпрабаванні ў кліентаў і зараз знаходзіцца ў стадыі масавых паставак. Ядро тэхналогіі Выдатныя дынамічныя і статычныя параметры, нізкае падзенне напружання, нізкія дынамічныя страты, прыдатныя для высокачашчынных і магутных сцэнарыяў З...
Бізнес-група Power Device Business Group (PDBG) кампаніі China Resources Microelectronics дасягнула яшчэ аднаго значнага прарыву ў сегменце асноўных прывадных модуляў з SiC. Модуль галоўнага прывада SiC MOS чацвёртага пакалення, незалежна распрацаваны PDBG, быў паспяхова прадстаўлены вядучым вытворцам аўтамабіляў і цяпер знаходзіцца ў серыйнай вытворчасці для ўстаноўкі ў аўтамабілі. Гэты модуль заснаваны на чыпе платформы SiC MOS G4 ад PDBG на 1200 В, які мае пакет ValueDual і 6/8-трубную...
Хуткае развіццё індустрыі новых энергетычных транспартных сродкаў абумоўлівае высокі попыт на высокапрадукцыйныя, высокаэфектыўныя і вельмі надзейныя рашэнні для кіравання энергаспажываннем. Бізнес-група Power Device Business Group (далей PDBG), грунтуючыся на сваім глыбокім тэхнічным назапашванні ў галіне паўправаднікоў і абапіраючыся на кампаноўку ўсіх ланцугоў IDM, пастаянна засяроджваецца на галінах прамысловага кіравання і аўтамабільнай электронікі высокага класа, актыўна прасоўваючы...
![Страты пры пераключэнні зніжаны больш чым на 20% у параўнанні з аналагічнымі прадуктамі на рынку. * Аўтамабільны IPM [SAM265M50AS3]](http://bsg-i.nbxc.com/company/3b/3d6c094295733f1c4df944acfded5f.png?x-oss-process=image/resize,w_500/format,png)
Сярод рухавікоў, якія выкарыстоўваюцца для прывада трохфазных высакавольтных рухавікоў 【серыі SAM2】, 【SAM265M50AS3】 цяпер афіцыйна запушчаны ў масавую вытворчасць. Серыя 【SAM2】 мае інтэграваную канструкцыю "усё ў адным", якая ўключае кампаненты пераключэння выхаду, пераддрайверы, самаўзмацняльныя дыёды з токаабмежавальнымі рэзістарамі і тэрмістары, якія з'яўляюцца важнымі кампанентамі, неабходнымі для кіравання трохфазнымі рухавікамі. Серыйна выраблены ў цяперашні час...
Новы прадукт 11 верасня 2025 г. Mitsubishi Electric Group абвясціла, што 22 верасня пачне пастаўкі новых кампактных сілавых паўправадніковых модуляў DIPIPM для бытавога і прамысловага абсталявання (напрыклад, кандыцыянераў, цеплавых помпаў, сістэм ацяплення і гарачага водазабеспячэння). Новая серыя Compact DIPIPM уключае PSS30SF1F6 (намінальны ток 30 A / намінальная напруга 600 В) і PSS50SF1F6 (намінальны ток 50А / намінальнае напружанне 600В). Прыняўшы біпалярныя транзістары з...
NCE SJ MOSFET G4.0 800V і 900V Прадстаўленне прадукту
Параўнанне значэнняў множніка Rdson пры высокай тэмпературы для прадуктаў аднолькавай спецыфікацыі: у параўнанні з Gen3, Gen4 знізіўся на 16%; Прадукты Gen4 і International I дасягнулі аднолькавага ўзроўню. Параўнанне FOM: версія Gen4 на 25% ніжэйшая за Gen3 і міжнародныя прадукты I. Мадэль прадукту Асаблівасці прадукту ● Высокая магутнасць шчыльнасці току ● Ультранізкае супраціўленне Rsp ● Высокая надзейнасць ● Лепш FOM ● Тэмпературныя характарыстыкі супраціву праводнасці нават лепш. Поля...
NSG4427 2A Двухканальны драйвер синфазного засаўкі з нізкім бокам
NSG4427 - гэта нізкавольтны драйвер синфазного затвора MOSFET і IGBT. Запатэнтаваная тэхналогія CMOS з устойлівасцю да зашчапкі забяспечвае высокую трываласць. Уваходны ўзровень сумяшчальны з лагічным выхадным узроўнем CMOS або LSTTL да 3,3 В. Ён мае шырокі дыяпазон VCC, блакіроўку паніжанага напружання з затрымкай і каскад буферызацыі выхаднога току. Паралельнае злучэнне двух каналаў можа павялічыць магчымасці кіравання. Асаблівасці прадукту: PIN2PIN замена Infineon IR4427 на Microchip TC4427...
NCE RC-IGBT NCE15ER135LP Увядзенне
У гэтым артыкуле рэкамендаваны IGBT з зваротнай праводнасцю вытворчасці NCE: NCE15ER135LP. Гэта прадукт у камплекце TO-3P на 1350 В з намінальным токам 15 А пры 100 ℃. У гэтым прадукце выкарыстоўваецца тэхналогія адсячэння поля мікра-канаўкі сёмага пакалення. Гэтая структура можа значна павялічыць шчыльнасць ячэістай структуры прылады. Шляхам аптымізацыі канструкцыі носьбіта захоўвання, а таксама дадання дызайну буфернага пласта з некалькімі градыентамі і тэхналогіі апрацоўкі звыштонкай...
N30V 1Mω Узровень траншэі-тыпу MOSFET
Платформа працэсу Trench-Type каманды R&D NCE запусціла шэраг пашыраных N-канальных прадуктаў MOSFET з рэйтынгам напружання 30 У і супрацівам 1MOO. Перавага прадукту Прыняўшы ўльтравысокая шчыльнасць клетак і дызайн шырыні невялікай лініі, выкарыстоўваючы унікальную платформу працэсу Trench NCE, у спалучэнні з аптымізаваным вялікім працэсам упакоўкі прадукту, прымаючы NCE011N30GU, у якасці прыкладу, тыповы супраціў праводнасці складае 0,75 мР, і бесперапынны ID можа дасягнуць 325А. Выдатная...
2153X серыі 600V Самаабсталяванае паў-мост MOSFET/IGBT Drip Chip
Паўправадніковая прылада * N-канал mosfet Асаблівасці прадукту ● Замяніце Infineon IR2153 (1) (S/D), IRS2153 (1) D (S) PBF на PIN2PIN ● VCC і VB падвойная абарона ад напружання ● Максімальнае працоўнае напружанне: 600V ● Абарона мёртвай зоны ● КТ, RT праграмуемы асцылятар ● Напружанне заціску VCC складае 15.6V ● Правядзенне магчымасці току: -Працягваецца / ток, які пастаўляецца = 1.2a / 1.5a ● Пакет SOP8, DIP8 Dip8 Sop8 Функцыянальная блок -схема Рэкамендуемая сфера заяўкі Флуарэсцэнтныя...
Trendforce (навукова -даследчая і кансалтынгавая фірма): У трэцім 2024 годзе прыбытак NAND Flash вырас на 4,8%. Быў вялікі попыт на SSD-дыскі на ўзроўні прадпрыемстваў, але спажывецкія заказы не аднаўляліся. Паводле апошняга апытання Trendforce, у трэцім квартале 2024 года аб'ём адгрузкі NAND Flash Industry знізіўся на 2%чвэрць чвэрці, але сярэдняя цана продажу (ASP) вырас на 7%, што дасягнула агульнага даходу ў галіны, дасягнуўшы 17,6 мільярда долараў ЗША, прычым штоквартальна павялічылася...
On March 19th, California time in the United States, SEMI released the "300mm Wafer Factory Outlook Report to 2027 (300mm Fab Outlook Report to 2027)", stating that due to the recovery of the memory market and the strong demand for high-performance computing and automotive applications, the global equipment expenditure for 300mm wafer factories used in the front-end facilities is expected to exceed 100 billion US dollars for the first Час у 2025 годзе і дасягае гістарычнага максімуму...
Trendforce (навукова -даследчая і кансалтынгавая фірма): Да 2025 года попыт на MLCC будзе абумоўлены інфраструктурай AI, і сітуацыя з перанапружаннем сутыкнецца з праблемамі. Згодна з апошнімі даследаваннямі Trendforce, у снежні 2024 г. колькасць працоўных месцаў у ЗША і індэкс вытворчых пакупак (PMI) была лепшай, чым чаканні на рынку. У выніку Федэральная рэзервовая сістэма Злучаных Штатаў можа значна знізіць колькасць зніжэння працэнтнай стаўкі ў 2025 годзе, што прывядзе да пастаяннай...
Рост попыту прывёў да павелічэння кошту кантракту на камбінацыі модуля 2Q25 і PC DDR4.
Згодна з апошнім апытаннем Trendforce, з -за таго, што асноўныя пастаўшчыкі DRAM паступова зніжаюць вытворчасць сервера і PC DDR4, а таксама той факт, што пакупнікі актыўна рыхтуюцца да пакупак загадзя, гэта падтрымала павелічэнне коштаў сервера і модулі PC DDR4 у другім квартале. Паводле ацэнак, павелічэнне будзе лепш, чым чакалася раней, з штоквартальным ростам 18-23% і 13-18% адпаведна. Trendforce, фірма па даследаванні рынку, заявіла, што жыццёвы цыкл пакалення DDR4 перавысіў 10 гадоў....
Была выпушчана першая ў свеце сістэма дызайну чыпаў AI.
Згодна з дакладам Science and Technology Daily, першая ў свеце цалкам аўтаматычная сістэма дызайну для працэсарных чыпаў на аснове тэхналогіі штучнага інтэлекту, названай "Асветніцтвам", была афіцыйна выпушчана нядаўна. Гэтая сістэма можа дасягнуць поўнай працэдуры аўтаматызаванага дызайну ад абсталявання Chip да асноўнага праграмнага забеспячэння, што сведчыць пра рэалізацыю дызайну AI для чыпаў. Больш за тое, яго дызайн дасягнуў узроўню ручнога дызайну чалавечымі экспертамі ў...
Trendforce (навукова -даследчая і кансалтынгавая фірма): Кіруецца вялікім попытам на ІІ, прыбытак у топ -10 кампаній па дызайне ІС па ўсім свеце, як чакаецца, павялічыцца на 6% у першым квартале 2025 года. Згодна з апошнім апытаннем Trendforce, у першым квартале 2025 года, з-за змяненняў у міжнароднай сітуацыі, падрыхтоўка да тэрмінальных электронных прадуктаў была ініцыявана раней, і будаўніцтва цэнтраў апрацоўкі дадзеных AI па ўсім свеце прывяла да павышэння попыту на паўправадніковыя чыпсы,...
10 красавіка 2024 года ў Каліфорніі, ЗША, у сваім выпушчаным выпушчаным "Worldwide Semiconductor Equipment Statistics (WWSEMS)" справаздача, што ў 2023 годзе аб'ём продажаў вытворчасці паўправадніковага вытворчасці нязначна знізіўся на 1,3% ад гістарычнага запісу 107,6 мільярда долараў ЗША ў 2022 годзе, дасягнуўшы 106,3 мільярда долараў ЗША. Кітай застаецца найбуйнейшым у свеце рынкам паўправадніковага абсталявання. Інвестыцыі ў Кітай павялічыліся на 29% у параўнанні з мінулым...
Trendforce (навукова -даследчая і кансалтынгавая фірма): У першым квартале 2025 года аб'ём вытворчасці смартфонаў дасягне 289 мільёнаў адзінак. Паводле апошніх апытанняў Trendforce, агульная сусветная вытворчасць смартфонаў у першым квартале 2025 года дасягнула 289 мільёнаў адзінак. Хоць ён зменшыўся прыблізна на 3% у параўнанні з аналагічным перыядам у 2024 годзе, прадукцыйнасць вытворчасці кожнай маркі заставалася адносна стабільнай. Сярод іх продажы Кітая ў першым квартале скарысталіся...
21 сакавіка 2023 года ў Каліфорніі, ЗША, Semi абвясціла ў сваім апошнім штоквартальным "Сусветным прагнозе Fab", што чакае, што выдаткі на сусветную ваферу заводу знізіліся на 22% у 2023 годзе, знізіўшыся з гістарычнага максімуму ў 98 мільярдаў долараў ЗША ў 2022 да 76 мільярдаў долараў ЗША. У 2024 годзе ён павялічыцца на 21% і вернецца да 92 мільярдаў долараў ЗША. Зніжэнне 2023 года будзе звязана з аслабленым попытам на чып і павелічэннем запасаў на спажывецкіх і мабільных прыладах....
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.
Запоўніце дадатковую інфармацыю, каб хутчэй звязацца з вамі
Заява аб прыватнасці: Ваша прыватнасць для нас вельмі важная. Наша кампанія абяцае не раскрываць вашу асабістую інфармацыю любой экспазіцыі з вашымі відавочнымі дазволамі.